Измеритель параметров мощных транзисторов и диодов Л2-70 предназначен для измерения и контроля статических параметров мощных транзисторов и диодов. Применяется для входного технологического контроля в лабораторных и цеховых условиях. Измеритель параметров мощных транзисторов и диодов Л2-70 может работать как самостоятельный прибор или в составе многопостовой измерительной системы с управлением от ЭВМ посредством КОП. Заменяет прибор Л2-22/1 по сравнению с которым имеет расширенные пределы измерения, более высокие режимные напряжения и токи, возможность измерения обратного тока и прямого напряжения диодов, повышенную производительность измерений, цифровую индикацию, встроенные средства автоматизации, возможность подключения к КОП. Технические характеристики приборов измерители параметров мощных транзисторов и диодов Л2-70: Пределы измерения: — статистического коэффициента передачи по току h21э+I — 5–9990; — малосигнального коэффициента передачи по току h21э+I — 2–9990; — обратных токов Iкбо, Iэбо, Iобр начального тока Iкэнач транзисторов — 10-9А-10-3А; — напряжений насыщения Uбэнас, Uкэнач прямого напряжения диодов — 0,05В-10В; — обратного тока диодов — 10-9А-10-3А; Погрешность измерений прибором измеритель параметров мощных транзисторов и диодов Л2-70 — 5%; Режимные напряжения — 0,5В-199,9В; Режимные токи прибора измеритель параметров мощных транзисторов и диодов Л2-70 — 0,1 мА-199,9 мА; Потребляемая мощность — 250В·А; Габариты — 480?488?175 мм (2 блока); Масса прибора измеритель параметров мощных транзисторов и диодов Л2-70 — 45кг.