Измеритель параметров мощных транзисторов и диодов Л2-69 предназначен для измерения и контроля статических параметров мощных транзисторов и диодов. Применяется для входного технологического контроля в лабораторных и цеховых условиях. Измеритель параметров мощных транзисторов и диодов Л2-69 может работать как самостоятельный прибор или в составе многопостовой измерительной системы с управлением от ЭВМ посредством КОП. Заменяет прибор Л2-42 по сравнению с которым имеет расширенные пределы измерения, более высокие режимные напряжения и токи, возможность измерения обратного тока и прямого напряжения диодов, повышенную производительность измерений, цифровую индикацию, встроенные средства автоматизации, возможность подключения к КОП. Технические характеристики приборов измерители параметров мощных транзисторов и диодов Л2-69: Пределы измерения: — статистического коэффициента передачи по току h21э+I5 — 9990 обратных токов Iкбо, Iэбо. начального тока Iк мас транзисторов; — обратного тока диодов — 10-7А-10-1А; — напряжений насыщения Uбэнас, Uкэнач прямого напряжения диодов — 0,05В-10В; Пределы измерения модуля коэффициента передачи по току |h21э|1 прибора измеритель параметров мощных транзисторов и диодов Л2-69 — 32; Погрешность измерений — 5%; Режимные напряжения — 0,5В-200В; Режимные токи прибора измеритель параметров мощных транзисторов и диодов Л2-69 — 0,1А-50А; Потребляемая мощность — 300В·А; Габариты — 480?488?175 мм (2 блока); Масса прибора измеритель параметров мощных транзисторов и диодов Л2-69 — 45кг.