Интервью: Инженеры из сингапурского Агентства по науке, технологии и исследованиям и Университета Карнеги — Меллона (США) сконструировали переключатели на основе фазового перехода

Инженеры из сингапурского Агентства по науке, технологии и исследованиям и Университета Карнеги — Меллона (США) сконструировали переключатели на основе фазового перехода (23.02.2013)
Компания: ФБУ "Ростест-Москва"

Интересовавший учёных переход характерен для так называемых халькогенидных материалов, способных при нагреве электрическим током «переключаться» между двумя состояниями — кристаллическим и аморфным. Первое обладает низким сопротивлением, второе — высоким. На базе этих материалов можно построить энергонезависимую память, один из вариантов которой мы обсуждали два месяца назад. Известны и образцы такого рода переключателей, но у них есть существенный недостаток — не слишком высокое отношение сопротивлений, измеренных в состояниях «включено» и «выключено». Решить эту проблему помогли эксперименты со сплавом германия и теллура. Варьируя параметры изготовления образцов, авторы сумели получить тонкую плёнку, для которой сопротивление в аморфном состоянии более чем в 10 миллионов раз превосходило «кристаллическое» сопротивление. У готовых переключателей с медными электродами отношение снизилось до 1,6 млн, но даже эта величина на порядки превосходит показатели разработанных ранее аналогичных устройств. Отметим, что в состоянии «включено» сопротивление равнялось 180 Ом.Сингапурские исследователи рассчитывают на то, что такие переключатели будут использоваться в электронике средств связи. Но думать о промышленном производстве пока рано: сначала необходимо выяснить, как можно избавиться от постепенного ухудшения характеристик (отношения сопротивлений) переключателя при его использовании. Причиной этого, вероятно, служит неполная рекристаллизация GeTe. Источник: http://physics.com.ua/news.php?id=1276

Комментарии

Нет комментариев

Добавить комментарий

Версия для печати | Все новости | Поиск новостей