Branche news: На основе нитрида галлия родились два новых транзистора Cree,- с высокой подвижностью электронов.

На основе нитрида галлия родились два новых транзистора Cree,- с высокой подвижностью электронов. (30.01.2014)
Компания: "Прософт"

Создание прошло под участием компании Cree. Которая представила СВЧ-транзисторы.Предназначенные они для использования: -в радарных системах S-диапазона -применяемые с целью метеорологических наблюдений -контроля движения воздушных и морских судов -систем навигации, наблюдения -поиска и спасения В основе обоих изделий компания взяла уникальные технологии выращивания структур GaN на подложках карбида кремния (SiC) и создания на их основе кристаллов транзисторов с высокой плотностью мощности, с толщиной затвора 0,4 мкм и напряжением 50 В Диапазон частот: 2,9–3,5 ГГц Значение выходной мощности транзистора CGHV35150 – 150 Вт, Значение коэффициента усиления составляет 13,5 дБ Эффективность ~50%. Типовое значение выходной мощности транзистора CGHV35400F составляет 400 Вт коэффициент усиления равен 10,5 дБ эффективность ~60%. Характеристики обоих изделий определяются при температуре 85°C, спад амплитуды импульса не превосходит 0,3 дБ. Транзисторы-новинки имеют меньшие размеры посадочного места по сравнению с аналогичными СВЧ-изделиями на основе арсенида галлия (GaAs) или кремния (Si), это позволяет разнообразить дизайн разрабатываемых с их применением СВЧ-устройств. Обе модели транзистора могут изготавливаться в металлокерамическом фланцевом корпусе, модель CGHV35150, (Возможна поставка в корпусе-«таблетке)

Комментарии

Нет комментариев

Добавить комментарий

Version for printing | Все новости | Поиск новостей