На протяжение последней декады российские разработчики моделировали магнитную память MRAM.
Существенная новизна заключается в том, что память фиксируется на основе магнитных частиц.
Ранее мы знали только SRAM и DRAM.
Намагниченность может повлиять на замену предыдущих видов памяти.
Первая проблема с которой столкнулась наука – создание ячеек памяти.
Сейчас этим вопросом занимаются пекинские ученые.
В результате исследований они обнаружили необходимость в спин-орбитальном элементе.
Именно этот элемент позволит переключать ячейки.
До этого на данную разработку особо времени не тратили, но сейчас разработки прогрессируют с достаточной интенсивностью.
Передача осуществляется с помощью электрического тока, который поступает к электронам.
Таким образом переключение осуществляется очень быстро. Время переключения составляет сотые микро секунды.
Разработчики доказали так же, что намагниченность может менять направление. Плотность тока при этом не велика, а сопротивление достаточно велико и на достаточном уровне обеспечивает надежность.
MRAM способна достаточно долго хранить информация. Если поступает внешняя энергия могут произойти изменения.
Исследования заполнят все пробелы в SOT переключениях. На данный момент необходимо еще изучить много процессов намагниченности ячеек
