Интервью: Транзистор без переходов открывает новые возможности

Транзистор без переходов открывает новые возможности (27.02.2013)
Компания: ФБУ "Ростест-Москва"

Ирландец Жан-Пьер Колиндж и его коллеги из Национального Института Тиндалла вышли на новый уровень развития электроники. Им удалось создать транзистор без электронно-дырочных переходов, который уже не требует соблюдения в транзисторе рабочих зон с четко заданными границами и размерами, обеспечивающие до сих пор нормальную работу компонентов. Современные размеры отдельных элементов интегральных схем медленно, но верно, приближаются к критическим, при производстве в масштабах которых неминуемы серьезные трудности. Речь идет об обязательной «высадке» на поверхность кремниевой пластины с ювелирной точностью легирующих примесей, обеспечивающих протекание различных типов проводимости. На сегодняшний день площадь таких «высадок» составляет менее 10 нанометров. Транзисторы будущего, построенные по прежней технологии, просто не смогут разместить в себе большее количество «капель» необходимых примесей много меньших размеров. По словам авторов эксперимента, несмотря на то, что идея беспереходного транзистора выглядит довольно странной, сам термин «транзистор», по сути, не подразумевает наличие переходов. Тем более что впервые вариант транзистора был предложен в 1925 году австро-венгерским физиком Юлием Эдгаром Лилиенфельдом. Однако по причине недостаточного развития техники тех лет идеи физика не прижились, а транзисторы разрабатывались по иному принципу. И только команде Колинджа удалось воплотить идеи Лилиенфельда. Представленный ей транзистор представляет собой кремниевый нанопровод n-типа, окруженный тонкой пленкой диоксида кремния. Поверх него положена своеобразная «скоба» p-типа, выполняющая роль затвора. Наличие «скобы» само по себе предотвращает появление свободных электронов под ней. Даже в случае напряжения между истоком и стоком, затвор не позволит им бежать по каналу. Только напряжение на затворе ослабляет его «хватку» и допускает ток электронов по проводнику. Обратный вариант транзистора с нанопроводом p-типа и «скобой» n-типа продемонстрировал тот же принцип работы, изменились только носители заряда. Исследователей поразила превосходная вольт-амперная характеристика нового транзистора, малый ток утечки и меньшая чувствительность затвора к температуре и скачкам напряжения по сравнению с современными компонентами. Более того, отсутствие переходов максимально приближает устройство к достижению идеальных электрических свойств и большей производительности. Сам Колиндж утверждает, что подобную конструкцию легко изготовить даже в миниатюрных масштабах, что говорит о колоссальных сокращениях прежних расходов на производство. Сейчас ирландские физики проводят переговоры с представителями ведущих компаний с целью развития и лицензирования предложенной технологии. Источник: http://www.ingener.info/news-view-1233.html

Комментарии

Нет комментариев

Добавить комментарий

Версия для печати | Все новости | Поиск новостей